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CSD19533KCS

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TO-220 封止、10.5mΩ、シングル、100V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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製品詳細

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 10.5 VGSTH typ (typ) (V) 2.8 QG (typ) (nC) 27 QGD (typ) (nC) 5.4 QGS (typ) (nC) 9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 86 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 10.5 VGSTH typ (typ) (V) 2.8 QG (typ) (nC) 27 QGD (typ) (nC) 5.4 QGS (typ) (nC) 9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 86 ID - package limited (A) 100 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
TO-220 (KCS) 3 46.228 mm² 10.16 x 4.55
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Pb free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • TO-220 plastic package
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low thermal resistance
  • Avalanche rated
  • Pb free terminal plating
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • TO-220 plastic package

This 100V, 8.7mΩ, TO-220 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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設計と開発

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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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