ホーム パワー・マネージメント MOSFET
ホーム
パワー・マネージメント
MOSFET

CSD18514Q5A

アクティブ

5mm x 6mm の SON 封止、シングル、4.9mΩ、40V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

ご注文はこちら
データシート

CSD18514Q5A

アクティブ
データシート ご注文はこちら

製品詳細

VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 QG (typ) (nC) 29 QGD (typ) (nC) 5 QGS (typ) (nC) 6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 QG (typ) (nC) 29 QGD (typ) (nC) 5 QGS (typ) (nC) 6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 低いRDS(ON)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • ロジック・レベル
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ
  • 低いRDS(ON)
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • ロジック・レベル
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS準拠
  • ハロゲン不使用
  • SON 5mm×6mmプラスチック・パッケージ

この4.1mΩ、SON 5mm×6mm、40V NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。

この4.1mΩ、SON 5mm×6mm、40V NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションにおいて損失を最小限に抑えるよう設計されています。
filter その他の MOSFET を検索
ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
8 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD18514Q5A 40V、Nチャネル NexFETパワーMOSFET データシート (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2017年 5月 24日
アプリケーション・ノート MOSFET Support and Training Tools (Rev. E) PDF | HTML 2024年 5月 13日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023年 12月 6日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

デスクトップにある「Design & development」 (設計と開発) セクションをご覧ください。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

投稿されたすべてのフォーラムトピック (英語) を表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ