ホーム パワー・マネージメント MOSFET

CSD18509Q5B

アクティブ

5mm x 6mm の SON 封止、シングル、1.2mΩ、40V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

この製品には新バージョンがあります。

open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
CSD18510Q5B アクティブ 5mm x 6mm のシングル SON 封止、0.96mΩ、40V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET This product has lower resistance and lower charge with a similar price.

製品詳細

VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1.2 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.7 VGSTH typ (typ) (V) 1.9 QG (typ) (nC) 150 QGD (typ) (nC) 17 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 299 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1.2 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.7 VGSTH typ (typ) (V) 1.9 QG (typ) (nC) 150 QGD (typ) (nC) 17 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 299 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • Ultra-Low On Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Logic Level
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Ultra-Low On Resistance
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Logic Level
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 40 V, 1 mΩ, SON 5 x 6 NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

This 40 V, 1 mΩ, SON 5 x 6 NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
9 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート CSD18509Q5B N-Channel NexFET Power MOSFETs データシート (Rev. A) PDF | HTML 2017年 5月 19日
アプリケーション・ノート MOSFET Support and Training Tools (Rev. E) PDF | HTML 2024年 5月 13日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023年 12月 6日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
技術記事 Motor Drive forum top FAQs: 3 methods to prevent electrical overstress PDF | HTML 2015年 12月 21日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

デスクトップにある「Design & development」 (設計と開発) セクションをご覧ください。

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ