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CSD17552Q5A

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5mm x 6mm のシングル SON 封止、6.2mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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CSD17577Q5A アクティブ 5mm x 6mm の SON 封止、シングル、5.8mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET This product has lower resistance and a lower 1 ku price.
CSD17578Q5A アクティブ 5mm x 6mm の SON 封止、シングル、9.3mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

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製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6.2 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.5 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 9 QGD (typ) (nC) 2 QGS (typ) (nC) 3.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 88 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 6.2 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.5 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 9 QGD (typ) (nC) 2 QGS (typ) (nC) 3.6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 88 ID - package limited (A) 60 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート 30-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs, CSD17552Q5A データシート 2012年 11月 13日
アプリケーション・ノート MOSFET Support and Training Tools (Rev. E) PDF | HTML 2024年 5月 13日
アプリケーション・ノート Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
アプリケーション・ノート QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023年 12月 6日
アプリケーション・ノート Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版 (Rev.R) 2018年 9月 13日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

デスクトップにある「Design & development」 (設計と開発) セクションをご覧ください。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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