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CSD17551Q3A

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3mm x 3mm のシングル SON 封止、9mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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CSD17578Q3A アクティブ 3mm x 3mm の SON 封止、シングル、9.4mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET This product has lower resistance and a lower price.

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製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 11.8 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.5 QGS (typ) (nC) 2.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 48 ID - package limited (A) 48 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 11.8 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.5 QGS (typ) (nC) 2.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 48 ID - package limited (A) 48 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

This 30 V, 7.8 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 30 V, 7.8 mΩ, 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版 (Rev.R) 2018年 9月 13日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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サポートとトレーニング

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