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CSD17308Q3

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3mm x 3mm の SON 封止、シングル、11.8mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET

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CSD17579Q3A アクティブ 3mm x 3mm の SON 封止、シングル、14.2mΩ、30V、N チャネル NexFET™ パワー MOSFET This product has similar resistance and a lower price.

CSD17308Q3

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製品詳細

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 11.8 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 50 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 11.8 VGSTH typ (typ) (V) 1.3 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.8 QGS (typ) (nC) 1.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 50 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DQG) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • 5V ゲートの駆動に最適化
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • VSON 3.3mm × 3.3mm プラスチック・パッケージ
  • 5V ゲートの駆動に最適化
  • 非常に低い Qg および Qgd
  • 低い熱抵抗
  • アバランシェ定格
  • 鉛フリーの端子メッキ処理
  • RoHS に準拠
  • ハロゲン不使用
  • VSON 3.3mm × 3.3mm プラスチック・パッケージ

この 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるよう設計され、5Vのゲート駆動アプリケーション向けに最適化されています。

この 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™パワーMOSFETは、電力変換アプリケーションでの損失を最小限に抑えるよう設計され、5Vのゲート駆動アプリケーション向けに最適化されています。
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技術資料

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* データシート CSD17308Q3 30V N チャネル NexFET™ パワー MOSFET データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2020年 6月 8日
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アプリケーション概要 Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
セレクション・ガイド 電源 IC セレクション・ガイド 2018 (Rev. R 翻訳版) 英語版 (Rev.R) 2018年 9月 13日
アプリケーション・ノート Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計と開発

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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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