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CSD16325Q5C （英語）

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LED Reference Design Cookbook
（slyt349.pdf 2.94MB）
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TI デュアル・クール NexFET™
パワー MOSFET テクノロジー

パッケージ表面からの冷却も実現
80% の低消費能力
標準フットプリントで電流能力が 50% アップ

TI のデュアル・クール NexFET™ ファミリのパワー MOSFET は、業界標準のフットプリントを実現すると同時に、パッケージの上面と下面を経由した熱効率の高い冷却も可能にします。電源システムの設計者はこのパッケージを使用することにより、高電流 DC/DC アプリケーション上のプリント基板から効果的に熱を除去することができます。これにより、電力密度、電流駆動能力、およびシステムの信頼性が向上します。

サーマル高性能比較		CSD16321Q5C 改善された熱特性の測定値（Ta = 25°C、Pd = 2.1W、エアフロー = 300LFM）
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DualCool™ NexFET™ パワー MOSFET の選択表

デバイス	サイズ	VDS (V)	VGS (V)	10V での R (mΩ )	4.5V での R (mΩ )	Qg (nC)	Qgd (nC)	サンプル
CSD16325Q5C	5X6	25	10	—	1.7	18	2.9	サンプル購入
CSD16322Q5C	5X6	25	10	—	4.5	6.5	1.2	サンプル購入
CSD16321Q5C	5X6	25	10	—	2.1	14	2.5	サンプル購入
CSD16407Q5C	5X6	25	16	1.8	2.5	13.3	3.5	サンプル購入
CSD16408Q5C	5X6	25	16	3.7	5.4	6.5	1.9	サンプル購入

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