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Intel® Atom™ IMVP6+ プラットフォーム用電源ソリューション

プロセッサ、チップセット、グラフィックス、メモリ、I/O 向けのパワー・マネージメント機能を採用した Intel® Atom™ IMVP6+ プラットフォームの電源ソリューション用ブロック図（SBD）。

ブロック図

色つきのブロックをクリックすると、推奨デバイスをご覧いただけます。


AC/DC Adaptor Battery Charger In-Pack Gas Gauge L-Ion Protection 1.5 V I/O LDO: Option 2 1.2 V I/O LDO: Option 2 1.2 V I/O LDO: Option 1 1.5 V I/O LDO: Option 1 DDR II Power: Option 2 DDR II LDO: Option 1 DDR II & I/O Power: Option 1 CPU Power System Power Graphics Power I/O Power: Option 2

設計上の考慮事項

Intel Mobile Voltage Positioning 6+ (IMVP-6+) 規格は、このプラットフォームを利用する Intel® プロセッサ向けに、パワー・マネージメント情報を提供します。テキサス・インスツルメンツが提供する統合ソリューションは、完全に準拠した、単相、同期整流 DC/DC バック・レギュレータで、特に低消費電力 CPU と、コンピューティング・システム用 Intel 統合グラフィック・ソリューション向けに設計されています。TI パワー・マネージメント製品の高度な制御機能には、高速過渡応答や最低出力容量、高効率を実現するための D-CAP アーキテクチャと OSR オーバーシュート低減などがあります。その他の重要な機能として、5 ビット・グラフィックス VID レンダリングおよび VCORE スルーレートと電圧の可変制御もあります。

パワー MOSFET CICLON NexFET™ テクノロジーが TI のパワー・マネージメント・ポートフォリオに追加されたことにより、業界標準のパッケージ・アウトラインで、低オン抵抗とともに極端に少ないゲート・チャージを提供できるようになりました。この組み合わせは、これまでのシリコン・プラットフォームでは不可能でした。NexFET テクノロジーは、N チャネルと P チャネルの両方のパワー MOSFET デバイスで高性能を発揮します。軽負荷から、低デューティで高電流動作を含む全負荷にわたり、90% の電源効率を可能とする、ディスクリート設計におけるブレークスルーの一例です。

2 倍の周波数で電力損失増加なし

コンピューティング、ネットワーキング、およびサーバー・システムで使用される同期バック・コンバータの電源において、パワー MOSFET は、DC/DC 効率に対する重要な要素です。抵抗値が同じである、業界標準のトレンチ型パワー MOFSET と比較すると、NexFET テクノロジーは半分以下のゲート・チャージ（Qg）を実現します。電荷量が低くなると、コンバータは、同じ電力損失を維持しながら高周波数で稼動するか、同じ周波数で効率よく稼動することができます。ゲート・チャージの大幅な削減により、電源のスイッチング周波数の倍増が可能になります。これにより、電源出力フィルタのサイズが半減し、貴重なボード面積の節約、コンポーネント数の削減によって、最終的にはコストを削減できます。

動作温度の低減

NexFET テクノロジーを使用すると、パワー MOSFET が効率よく稼動し（最大 30% 低温化）、MOSFET ドライバからの発熱量も大幅に削減されます。結果的に、動作温度が 15% 低くなり、システム全体の信頼性が向上します。

     

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